张永晖

» 姓名：张永晖

» 系属：微电子系

» 学位：博士

» 职称：讲师

» 专业：电子信息（光学工程方向）

» 导师类别：硕士生导师

» 电子邮箱：yhzhang@sdut.edu.cn

» 通讯地址：山东省淄博市张店区beat365官方最新版西校区#15-223

» 联系方式：

◎ 研究方向

1.    宽禁带氧化物半导体材料与器件

2.    柔性光电子和微电子器件

◎ 教育工作经历

1.    2008.09-2012.06，山东师范大学，本科

2.    2012.09-2015.06，中国科学院物理研究所，硕士研究生

3.    2015.09-2018.06，中国科学院物理研究所，博士研究生

4.    2018.07-2019.07，武汉华星光电半导体显示技术有限公司，高级工程师

5.    2019.09-2020.11，华南师范大学，特聘副研究员

6.    2020.12-至今，beat365官方最新版，讲师

◎ 学术兼职

1.    《Semiconductor Science and Technology》，《Flexible and Printed Electronics》，《Materials   Advances》等期刊审稿人

◎ 承担项目

1.    主持，beat365官方最新版，博士科研启动基金，2020年，10万元，在研。

2.    主持，华南师范大学，青年英才启动经费， 2019-2022年，20万元，结题。

3.    主持，华南师范大学，华南师范大学青年教师科研培育基金，氧化镓基日盲紫外偏振光探测器，2020-2021年，3万元，结题。

4.    参加，国家自然科学基金委员会, 面上项目, 11675280,   氧化锌抗辐射特性研究及新型高能辐射探测器研制, 2017-01至2020-12, 88万元,结题。

5.    参加，国家自然科学基金委员会, 面上项目, 11674405,   同位素示踪法研究氧化物本征点缺陷的能量学, 2017-01至2020-12, 70万元, 结题。

◎ 论文

1.  Yonghui Zhang, Zengxia Mei, Tao Wang, Wenxing Huo, Shujuan Cui,   Huili Liang, Xiaolong Du. Flexible Transparent High-Voltage Diodes for Energy   Management in Wearable Electronics, Nano Energy 40, 289–299 (2017).

2.  Yonghui Zhang, Zengxia Mei, Shujuan Cui, Huili Liang, Yaoping   Liu, Xiaolong Du. Flexible transparent field-effect diodes fabricated at   low-temperature with all oxide materials, Advanced Electronic Materials. 2, 1500486   (2016).

3.  Yonghui Zhang, Zengxia Mei, Junqiang. Li, Huili Liang, Xiaolong   Du, Dual-source device architecture for self-diagnosis and correction of gate   bias-stress instability in flexible transparent ZnO thin-film transistors, Journal of Alloys and Compounds. 823 (2020) 153834.

4.  Yonghui Zhang, Zengxia Mei, Wenxing Huo, Tao Wang, Huili Liang,   Xiaolong Du. Self-aligned photolithography for the fabrication of fully   transparent high-voltage devices, Journal of   Physics D: Applied Physics. 51, 175102   (2018).

5.  Yonghui Zhang, Zengxia Mei, Wenxing Huo, Tao Wang, Huili Liang,   Xiaolong Du, Self-aligned photolithography for the fabrication of flexible   transparent high-voltage thin film transistors, diodes and inverters, Microelectron. Eng.   (2018) 199, 92-95.

6.  Yonghui Zhang, Zengxia Mei, Huili Liang, Xiaolong Du. Review of   flexible and transparent thin-film transistors based on zinc oxide and   related materials, Chinese Physics   B 26, 047307 (2017).

7.  Yonghui Zhang*, Zhaoxiong Wang，Fei Xing*. Enhancement of polarization response in   UVA and UVC wavelength with integrated sub-wavelength metal-grids. Microelectronic Engineering 242–243, 111555 (2021).

8.  Wen-Chiang Hong^#, Yonghui Zhang^#Sze-Ying Wang, Yuxuan Li, Navila Alim, Xiaolong Du, Zengxia Mei,   Yicheng Lu ZnO flexible high voltage thin film transistors for power   management in wearable electronics, J. Vac. Sci.   Technol. B (2018) 36, 050601.

9.  Quan Chen, Yonghui   Zhang*, Tao Zheng, Zhun Liu, Liangwei Wu, Zhaoxiong Wang, Jingbo   Li*, Polarization detection in deep ultraviolet light with monoclinic gallium   oxide nanobelts, Nanoscale Adv. 2, 2705–2712 (2020).

10.Huili Liang, Shujuan Cui, Rui Su, Pengfei Guan,   Yuhang He, Lihong Yang, Liming Chen,   Yonghui Zhang, Zengxia Mei, Xiaolong Du, Flexible X-ray detectors   based on amorphous Ga2O3 thin films, ACS Photonics (2019）6, 351.

11.Huili Liang, Shujuan Cui, Wenxing Huo, Tao Wang, Yonghui Zhang, Baogang   Quan, Xiaolong Du, Zengxia Mei, Direct ZnO X-Ray detector with tunable   sensitivity, Chin. Phys. Lett. (2019) 36, 110701.

12.Shujuan Cui, Zengxia Mei, Yaonan Hou, Quansheng Chen, Huili Liang, Yonghui Zhang, Wenxing Huo, and Xiaolong Du: Enhanced photoresponse performance in   Ga/Ga2O3 nanocomposite solar-blind ultraviolet photodetectors, Chin. Phys. B (2018) 27, 067301.

13.Shujuan Cui, Zengxia Mei, Yaonan Hou, Muhua Sun, Quansheng Chen, Huili   Liang, Yonghui Zhang, Xuedong Bai, and Xiaolong Du: Surface plasmon enhanced solar-blind   photoresponse of Ga2O3 film with Ga nanospheres, Sci. China Phys. Mech. (2018) 61, 107021.

14.Wenxing Huo, Zengxia Mei, Minglong Zhao, Yanxin Sui, Bin Zhao, Yonghui   Zhang, Tao Wang, Shujuan Cui, Huili Liang, Haiqiang Jia, and   Xiaolong Du: Flexible ZnO thin-film transistors on thin copper substrate, IEEE T.   Electron Dev. (2018) 9, 3791-3795.

15.Shujuan Cui, Zengxia Mei, Yonghui Zhang, Huili Liang,   and Xiaolong Du: Room-Temperature Fabricated Amorphous Ga2O3   High-Response-Speed Solar-Blind Photodetector on Rigid and Flexible   Substrates. Adv. Optical   Mater. (2017) 5, 1700454.

16.Daqian Ye, Zengxia Mei, Huili Liang，Lishu Liu, Yonghui   Zhang, Junqiang Li, Yaoping Liu, Changzhi Gu，Xiaolong Du：A three-terminal ultraviolet   photodetector constructed on a barrier-modulated triple-layer architecture. Scientific   Reports.(2016)6,26169.

17.Jiao Huang, Liwei Guo, Wei Lu, Yonghui Zhang, Zhe Shi,   Yuping Jia, Zhilin Li, Junwei Yang, Hongxiang Chen, Zengxia Mei, and Xiaolong   Chen: A self-powered sensitive ultraviolet photodetector based on epitaxial   graphene on silicon carbide. Chin. Phys. B (2016), 25, 067205.

18.Zebing Liao, Zeqi Xiao, Mengmeng Yang, Menglong Zhang, Yonghui   Zhang, Huaimin Gu, Xiaofang Jiang, Qisheng Wang, Jingbo Li,   Direct imaging of carrier diffusion length in organic-inorganic perovskites. Appl. Phys.   Lett. (2019)115, 242104.

◎ 专利

美国专利

1)           张永晖、梅增霞、梁会力、杜小龙，“PREPARATION METHOD FOR FULLY TRANSPARENT THIN FILM TRANSISTOR”，专利号：US20190334018A1，申请日期：2017-03-23，专利权人：中科院物理所。（已授权）

中国发明专利

1)           张永晖、梅增霞、梁会力、杜小龙，“薄膜晶体管和场效应二极管的制备方法”，发明专利申请号：201710719655.8，申请日期：2017-08-21，专利权人：中科院物理研究所。

2)           张永晖、梅增霞、梁会力、杜小龙，“一种全透明薄膜晶体管的制备方法”，发明专利号：ZL201710040513.9，申请日期：2017-01-20，专利权人：中科院物理研究所。（已授权）

3)           张永晖、梅增霞、梁会力、杜小龙，“场效应二极管”，发明专利申请号：201610036965.5，申请日期：2016-01-20，专利权人：中科院物理研究所。

4)           张永晖、梅增霞、梁会力、刘尧平、杜小龙，“薄膜晶体管驱动电路”，发明专利申请号：201510590404.5，申请日期：2015-09-16，专利权人：中科院物理研究所   。（已授权）

5)           张永晖、梅增霞、刘利书、梁会力、刘尧平、杜小龙，“薄膜晶体管”，发明专利申请号：201410741101.4，申请日期：2014-12-18，专利权人：中科院物理研究所。

6)           张永晖、李鹏、吴绍静，“光罩结构”,申请日期：2019-5-27, 发明专利申请号: 201910448140.8,专利权人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司。

7)           张永晖、李鹏，“OLED显示面板及光罩”,申请日期：2019-5-30, 发明专利申请号：201910465027.0，专利权人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司。

8)           张永晖、“薄膜晶体管及其制作方法、显示面板”, 申请日期：2019-8-27, 发明专利申请号：201910798675.8，专利权人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司。

9)           杜小龙（导师）、张永晖、梅增霞、梁会力，“薄膜晶体管和场效应二极管”，发明专利申请号：201810029520.3，申请日期：2018-01-12，专利权人：中科院物理研究所。

10)        梅增霞（导师）、张永晖、梁会力、杜小龙，“场效应二极管及能量管理电路”，发明专利申请号：201710718914.5，申请日期：2017-08-21，专利权人：中科院物理研究所。

11)        李超（导师）、张永晖，“显示装置”，申请号：201911024503.1 申请日：2019-10-25，专利权人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司。

12)        梁会力、崔书娟、张永晖、霍文星、王涛、梅增霞、杜小龙，“一种直接型X射线探测器及其制备方法”，申请号：201711078675.8 申请日：2017-11-06，专利权人：中科院物理研究所。（已授权）

13)        崔书娟、梅增霞、张永晖、梁会力、杜小龙，“一种非晶Ga2O3日盲紫外探测器及其制备方法和应用”，申请号：201710360774.9 申请日：2017-05-19，专利权人：中科院物理研究所。

14)        崔书娟、梅增霞、梁会力、张永晖、霍文星、杜小龙，“表面等离激元增强的氧化镓紫外探测器及其制备方法和应用”，申请号：201711005864.2 申请日：2017-10-25，专利权人：中科院物理研究所。

15)        霍文星、梅增霞、梁会力、张永晖、崔书娟、隋妍心、杜小龙，“一种柔性金属衬底及其制备方法和应用”，申请号：201810087594.2 申请日：2018-01-30，专利权人：中科院物理研究所。

16)        霍文星、梅增霞、梁会力、张永晖、崔书娟、隋妍心、杜小龙、贾海强，“一种柔性金属衬底及其制备方法和应用”，申请号：201810087557.1 申请日：2018-01-30，专利权人：中科院物理研究所。

中国实用新型专利

1)           张永晖、梅增霞、梁会力、杜小龙，“场效应二极管”，实用新型专利号：ZL201620054295.5，申请日期：2016-01-20，授权公告日：2016-05-05，专利权人：中科院物理研究所。（已授权）

2)           张永晖、梅增霞、梁会力、刘尧平、杜小龙，“薄膜晶体管驱动电路”，专利号：ZL201520717477.1，申请日：2015-09-16，公告日：2015-11-30，专利权人：中科院物理研究所。（已授权）

3)        张永晖、梅增霞、刘利书、梁会力、刘尧平、杜小龙，“薄膜晶体管”，实用新型专利号：ZL201420762335.2，申请日期：2014-12-18，授权公告日：2015-02-04，专利权人：中科院物理研究所。（已授权）

4)           梅增霞（导师）、张永晖、梁会力、杜小龙，“场效应二极管及能量管理电路”，专利号：ZL201820052089.X   申请日：2018-01-12，专利权人：中科院物理研究所。（已授权）。

5)   杜小龙（导师）、张永晖、梅增霞、梁会力，“薄膜晶体管和场效应二极管”，专利号：ZL 201820050467.0 申请日：2018-01-12，专利权人：中科院物理研究所。（已授权）。